【天脉网】10月9日消息，据业内消息透露，韩国三星电子和台湾台积电的3纳米(nm)工艺目前面临良品率方面的挑战，均维持在约50%左右。
此前有报道称，三星电子的3nm工艺已经达到60%以上的良品率，并向中国客户交付芯片。然而，该工艺省略了逻辑芯片中的SRAM，因此被认为难以视为“完整的3nm芯片”。
业界观点认为，尽管三星电子率先量产了3nm全栅极技术(GAA)，但其产量尚不足以满足大客户的需求。这项技术中，栅极环绕电流通道的四边，与之前的三边环绕工艺相比更加复杂。一位知情人士透露，“要赢得像高通这样的大客户2024年的3nm移动芯片订单，良品率至少需要提高到70%。”
对于台积电来说，虽然是唯一一家目前量产3nm工艺的公司，但其产量同样低于最初预期。有分析师表示，台积电的3nm工艺仍然采用了与上一代工艺相同的FinFET结构，可能未能有效控制过热问题。
目前，三星电子和台积电都在努力实现超过60%的良品率目标。台积电计划在明年量产N3E、N3P、N3X、N3AE等，以重点提高良品率并降低成本。
业内人士透露，三星、台积电和英特尔都在准备2nm工艺，但与3nm相比，性能和功耗效率的提升并不明显，因此3nm工艺芯片的需求持续时间预计将超出预期。
此前，有关苹果iPhone 15 Pro手机过热问题的争议，天风国际分析师郭明錤表示，与台积电的3nm工艺无关。郭明錤认为，问题可能源于为了降低手机重量而在散热系统设计上的妥协，如散热面积较小、采用钛合金等，苹果预计将通过更新系统来解决此问题，但改善效果可能有限。如果问题未得到妥善解决，可能会对iPhone 15 Pro系列的销售产生不利影响。
