台积电即将迈入2nm工艺制程的新纪元，这一消息在科技界掀起了波澜。据透露，该公司计划在明年实现这一技术突破，并已经对外公布了2nm芯片的核心细节。
台积电的高管们介绍，2nm芯片将采用全新的GAAFET晶体管技术，取代传统的FFET技术。这一变革将带来晶体管密度的显著提升，增幅高达15%。这意味着，在同等功耗下，芯片的性能将实现15%的提升；反之，在性能保持不变的情况下，功耗将有望降低25%至35%。
从3nm到2nm的跨越，无疑是一次重大的技术飞跃。随着芯片制程的不断推进，提升性能和降低功耗的难度日益增大。因此，这次15%和25%-35%的改进幅度，无疑展现了台积电在半导体技术领域的深厚实力。
然而，台积电董事长魏家哲却强调，对于2nm芯片而言，工艺只是基础，封装技术同样至关重要。他解释道，进入2nm时代后，封装技术将成为提升芯片性能和降低功耗的关键。随着芯片制程的先进化，堆叠、立体和小芯粒等封装技术逐渐成为主流，将多个关键芯片封装在一起，而非分散开来。
台积电现有的CoWos封装技术就是一个典型的例子，也是当前AI芯片的关键技术之一。该技术通过使用硅衬底作为中介层，将处理器、内存和其他功能模块集成在一个封装体内，实现了高密度的系统集成。英伟达的高端AI芯片就全部采用了这种封装技术。
随着芯片工艺的不断进步，未来越来越多的芯片将会整合在一起，而不是分散开来。因此，先进封装技术的重要性日益凸显。在这样的背景下，有人提出，中国在芯片封装领域拥有较强的实力，是否意味着在这一领域将迎来新的发展机遇？
数据显示，全球前十大封测企业中，有四家中国企业上榜，市场份额高达25%左右。然而，值得注意的是，虽然中国封装企业在市场份额上占据了一席之地，但主要集中在相对成熟的封装技术上。对于像CoWos这样的先进封装技术，中国目前还尚未掌握。因此，中国在芯片制造和先进封装领域都需要持续努力，才能真正实现自主可控的发展。
