在科技发展的长河中，存储技术的革新始终是推动信息技术进步的重要力量。近年来，磁性随机存储器（MRAM）作为一颗璀璨的新星，正逐步引领存储技术的新潮流。从IBM在1956年推出世界上首个硬盘驱动器RAMAC 305至今，存储技术已历经数次飞跃，而MRAM的出现更是为这一领域带来了前所未有的变革。
MRAM以其独特的非易失性和高速读写能力，在众多新型存储技术中脱颖而出。与传统DRAM相比，MRAM在断电后仍能保留数据，同时其读写速度可达到惊人的10纳秒以下，甚至某些先进产品已实现2至3纳秒的读取速度和2.3纳秒的写入速度。MRAM的功耗远低于DRAM，可降低50%至80%，这一优势使其在需要高速启动和数据持久保存的应用场景中展现出巨大潜力。
MgO基磁性隧道结示意图
MRAM的发展之路并非一帆风顺。其概念最早可追溯至20世纪中叶，但直到1988年巨磁阻效应（GMR）的发现，才为MRAM的商业化应用带来了曙光。GMR效应使得科学家们能够更精确地控制磁性材料的磁化状态，从而大幅提升MRAM的读写速度和存储密度。随后，隧穿磁阻效应（TMR）的出现更是为MRAM技术的发展插上了翅膀，推动了MRAM从实验室走向市场。
进入21世纪后，MRAM技术迎来了商业化的春天。2006年，飞思卡尔半导体推出了首个商业化MRAM产品，标志着MRAM技术正式迈入商业化阶段。此后，随着半导体制造工艺的不断进步，MRAM的存储容量、读写速度和工作温度范围等性能指标持续提升。如今，MRAM家族已涵盖了自旋转移扭矩（STT）、自旋轨道扭矩（SOT）等多种技术路线，为全球存储市场注入了新的活力。
在国际市场上，英特尔、三星、台积电等半导体巨头纷纷加大对MRAM技术的研发投入。台积电成功研发出自旋轨道转矩磁性存储器（SOT-MRAM）阵列芯片，实现了低功耗和高效能的完美结合；三星则通过构建新的MRAM阵列结构，展示了MRAM在存内计算领域的巨大潜力；而英特尔则宣布其MRAM已准备好大规模量产，采用成熟的22nm制造工艺，进一步推动了MRAM技术的商业化进程。
在国内市场，MRAM技术同样备受关注。中科院、清华大学、北京航空航天大学等高校和科研机构在MRAM基础研究方面取得了显著成果。北京航空航天大学集成电路学院成功研制出基于单原子层钨的双界面型MTJ器件，获得了世界最高的隧穿磁阻率；中国科学院微电子研究所则开发了基于垂直磁各向异性SOT-MTJ的刻蚀工艺，解决了SOT-MRAM制造中的关键问题。
国内还涌现出一批专注于MRAM技术研发的企业。致真存储（北京）科技有限公司作为国内唯一具有SOT-MRAM完整知识产权和8英寸研发、中试、量产线的厂商，正加速推动MRAM技术的产业化进程；深圳亘存科技有限责任公司则专注于MRAM芯片产品的设计开发和销售，为边缘侧和端侧的智能化需求提供解决方案。
展望未来，MRAM技术将继续在存储领域发挥重要作用。随着与其他存储技术的不断融合和创新应用的不断拓展，MRAM有望在移动设备、数据中心、人工智能等多个领域展现出更加广阔的应用前景。让我们共同期待MRAM技术为存储领域带来的更多惊喜和变革。
