【数据世界】11月3日消息，韩国科技巨头三星电子日前向其投资者透露，正在积极推动光刻技术的研发和过渡，计划于2024年下半年推出采用第二代3纳米工艺技术(SF3)以及量产版的4纳米工艺(SF4X)产品。
据数据世界了解，三星电子在一份声明中表示：“我们计划今年下半年启动第二代3纳米工艺以及第四代4纳米工艺用于高性能计算(HPC)的量产，以进一步增强我们在技术领域的竞争实力。”
三星的SF3工艺技术是对其现有的SF3E生产节点的重大升级。根据目前公开的信息，SF3将主要用于生产小型芯片，特别是用于加密货币挖矿的芯片。这一工艺技术将提供更大的设计多功能性，允许在相同的单元类型中，为不同的全栅极(GAA)晶体管提供不同的纳米片通道宽度。
尽管三星没有直接对比SF3和SF3E，但据该公司称，SF3相较于4纳米工艺(4LPP、4纳米低功耗工艺)有着显著的改进。具体表现包括在相同功率和复杂性下性能提高了22%，或者在相同频率和晶体管数量下功耗降低了34%，逻辑面积也减少了21%。
三星电子预计，随着移动需求的回升以及HPC需求的不断增长，市场将迎来增长机会。这一计划将有望加强三星在半导体制造领域的领先地位，推动公司在未来的市场竞争中取得更大的优势。
