11月7日电，三星宣布已开始量产三星产品中具有最高存储密度的1Tb(太字节)三比特单元(TLC)第8代V-NAND。基于最新NAND闪存标准Toggle DDR 5.0接口的三星第8代V-NAND，其输入和输出(I/O)速度高达2.4 Gbps(千兆比特每秒)，相比上一代提升了1.2倍，这可以满足PCIe 4.0和更高版本PCIe 5.0的性能要求。
时间：2022-11-07 11:27
来源：财联社11月7日电，三星宣布已开始量产三星产品中具有最高存储密度的1Tb(太字节)三比特单元(TLC)第8代V-NAND。基于最新NAND闪存标准Toggle DDR 5.0接口的三星第8代V-NAND，其输入和输出(I/O)速度高达2.4 Gbps(千兆比特每秒)，相比上一代提升了1.2倍，这可以满足PCIe 4.0和更高版本PCIe 5.0的性能要求。
